半导体曝光设备的应用

半导体曝光设备的应用

半导体光刻设备用于包括MOS（金属氧化物半导体）和FET（场效应晶体管）等半导体元件的IC（集成电路）制造过程中的曝光工序。

在IC制造过程中，在硅晶片上依次重复光刻和蚀刻的循环，并在以预定图案堆叠和加工氧化硅、金属等层的过程中，获得半导体元件所需的特性. 将被处理为作为示例，在n型MOS(NMOS)的情况下，在p型硅衬底上的栅极区域中形成氧化硅膜，并在其上形成栅极金属，并向其中注入高浓度杂质离子。漏极区和源极区，形成n型(n+型)MOS。这一系列工序中的光刻和蚀刻的各工序如图所示地构成(成膜工序S1～抗蚀剂剥离工序S6)。

其中，曝光工序(S3)是使用半导体曝光装置进行的工序。根据电路图案的尺寸和半导体元件的精度，曝光设备使用不同的波长。