半导体激光器
激光的振荡粒子数反转是必需的，以形成一个用于所述激励机构为，由于几伏到半导体电压通过施加电子注入的方法是常见的。基本上，从pn结区域的两端添加电子和空穴，并且当它们重新结合时，对应于带隙的能量以光子的形式发射。
通过使用量子阱结构等以高密度将电子和空穴注入到结的狭窄区域中，通过诱导受激发射来连续发射xxx小规模光（电磁波）。
它具有引起发光现象并像雪崩一样增加光量的效果。感应光由释放放大，以便为一次又一次以反映由所述谐振器结构的发光区域中，光不断振荡在相位状态放大，光相位对准的激光束被半反射镜从端面发射。
通常，谐振器与半导体基板平行地形成，并且光从劈开的侧面发射。具有这种结构的半导体激光器通常被称为边缘发射激光器（EEL）。
另一方面，具有垂直于半导体衬底发射光的结构的激光器被称为表面发射激光器（SEL），其中使谐振器垂直于半导体衬底的表面发射激光器被称为垂直腔表面发射激光器。（垂直腔表面发射激光器，VCSEL）。具有谐振器外部的外腔型垂直表面发射激光器（VECSEL）也变得流行。