关于半导体曝光设备的价格

 半导体光刻设备目前对于半导体的高效量产来说是不可或缺的，但据说是史上最精密的机器，而且价格昂贵。

半导体光刻设备采用的光源波长越短，可以形成的图案越精细，但光刻设备的成本也会越高。据称每个波长的成本为i-line约4亿日元、KrF约13亿日元、ArF干式约20亿日元、ArF浸没式约60亿日元、EUV约200亿日元。

电路越小，可以实现越快的信号传输和节能，但近年来，由于小型化，无法忽视工艺成本的增加，包括半导体曝光设备的价格。

就半导体光刻设备所需的性能而言，从半导体制造的成本角度来看，半导体光刻设备的吞吐量也是一个重要指标。吞吐量是表示电路图案曝光速度的性能，随着吞吐量的增加，每个硅芯片的制造成本（运行成本）会降低。这在半导体芯片的大规模生产过程中非常重要。