电子束光刻设备原理

 LSI工艺大致可分为设计、预处理和后处理。

在设计阶段将电路图案绘制在掩模版上，在预处理阶段在硅晶圆上形成高度集成的电子电路，在后期处理阶段从晶圆上切下半导体并将其固定和封装在预定位置。 - 处理阶段。

在设计阶段，传统的 LSI 微电路图案使用类似于卤化银摄影的光学转印技术印刷到掩模版上。

然而，由于光（可见光）的波长约为400nm至700nm，因此不可能将比光的波长更精细的电路印刷到掩模版上。

随着时间的推移，LSI 变得越来越大，如何将许多电路集中到一个小型 LSI 上已成为研究的主题。

然后电子束出现了。

电子束的波长为0.012 nm，加速电压为10 kV，因此可以绘制比光更精细的电路图案。

然而，为了绘制高度精细的电路图案，需要一种能够高精度瞄准电子束的装置。

为此开发了电子束光刻系统作为设备。

电子束光刻系统有两种类型：光栅扫描（一种像电视上的像素一样排列点的方法）和矢量扫描（一种填充圆形和矩形等形状的方法）。

这种电子束光刻系统使得在掩模版上绘制高清电路图案成为可能。