半导体曝光设备的应用

 半导体曝光装置用于包含MOS（金属氧化物半导体）、FET（场效应晶体管）等半导体元件的IC（集成电路）的制造工序中的曝光工序。

在IC制造过程中，在硅晶片上依次重复光刻和蚀刻循环，并且在将氧化硅、金属等层层压并加工成预定图案的过程中，半导体元件所需的特性被加工为执行得如此，它已经 .例如，在n型MOS（NMOS）的情况下，在p型硅基板的栅极区域上形成氧化硅膜和栅极金属，并且将高浓度的杂质离子注入到漏极和源极中。这形成了n型（n+型）MOS。这一系列工序中的光刻工序和蚀刻工序如图所示地构成(成膜工序S1～抗蚀剂剥离工序S6)。

其中，曝光工序(S3)使用半导体曝光装置来进行。根据电路图案的尺寸和半导体元件的精度，使用不同的曝光设备波长。