离子注入设备的应用

 离子注入设备用于半导体制造过程中的杂质注入工艺。广泛用作半导体基板的硅晶圆，其原始形态为绝缘材料，无法通过电流或传输电信号。通过从外部向晶圆内部注入离子，可以形成具有n型或p型半导体电特性的区域。

n型半导体是注入了电子较多的杂质元素的半导体，p型半导体是注入了空穴较多的杂质元素的半导体。需要注意的是，离子注入有时也称为掺杂或离子注入。

在制作n型半导体时，会使用氮、磷和砷等15族元素的离子。而制作p型半导体时，则会使用硼和铝等13族元素的离子。离子注入是在通过蚀刻形成电路部分之后进行的过程。

晶圆的顶面经过蚀刻，用光刻胶将晶圆的暴露表面与受保护区域分离。当离子注入暴露区域时，根据离子的类型，该区域会变成 n 型或 p 型半导体。